型号: FP25R12KE3
功能描述: IGBT 模块 1200V 25A PIM
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 150 W
封装 / 箱体: EconoPIM2
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP25R12KE3BOSA1 SP000100411
单位重量: 180 g
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