型号: FP35R12W2T4
功能描述: IGBT 模块 IGBT-MODULE
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 54 A
封装 / 箱体: EASY2B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 56.7 mm
宽度: 62.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
零件号别名: FP35R12W2T4BOMA1 SP000307559
单位重量: 39 g
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