型号: FP50R12KT4G
功能描述: IGBT 模块 IGBT Module 50A 1200V
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 280 W
封装 / 箱体: Econo 3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP50R12KT4GBOSA1 SP000879284
单位重量: 300 g
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
联系人：陈楠
电话：18025360035
Q Q:
联系人：黄生
电话：13926593921
Q Q:
