型号: FP75R12KT4B11BOSA1
功能描述: IGBT MOD 1200V 75A 385W
制造商: Infineon Technologies
包装: 散装
系列: -
零件状态: 有源
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 75A
功率 - 最大值: 385W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1mA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 4.3nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雅可
电话：18824568578
Q Q:
联系人：李信
电话：1807802168
Q Q:
联系人：王峻
电话：13590187433
Q Q:
