型号: FPF2G120BF07ASP
功能描述: IGBT 模块 High Power Module
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Triple
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 2 uA
Pd-功率耗散: 156 W
封装 / 箱体: F2
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: FPF2G120BF07ASP
商标: ON Semiconductor / Fairchild
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 70
子类别: IGBTs
单位重量: 45 g
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