型号: FQA48N20
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 130nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5000pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 280W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 50 毫欧 @ 24A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3P
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13620950301
Q Q:
联系人：龚先生
电话：13510177715
Q Q:
联系人：亚东
电话：18038078310
Q Q:
