型号: FQA70N08
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 77.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 145 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 300 ns
系列: FQA6N90
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：Cyan
Q Q:
联系人：曹宏树
电话：18576774117
Q Q:
