FQA7N80C_F109规格参数_FQA7N80C_F109全国代理商/分销商

型号: FQA7N80C_F109
功能描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA7N80C_F109, 7 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 7 A
最大漏源电压： 800 V
最大漏源电阻值： 1.9 0hms
最小栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-3PN
安装类型：通孔
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 198 W
典型接通延迟时间： 35 ns
典型关断延迟时间： 50 ns
典型输入电容值@Vds： 1290 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 10 V 时，27 常闭
晶体管材料： Si
系列： QFET
宽度： 5mm
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 15.8mm
高度： 18.9mm
尺寸： 15.8 x 5 x 18.9mm
每片芯片元件数目： 1
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs