FQA9N90C_F109规格参数_FQA9N90C_F109全国代理商/分销商

型号: FQA9N90C_F109
功能描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 9 A
最大漏源电压： 900 V
最大漏源电阻值： 1.4 0hms
最小栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-3PN
安装类型：通孔
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 280 W
高度： 18.9mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 15.8 x 5 x 18.9mm
宽度： 5mm
系列： QFET
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 45 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 2100 pF@ 25 V
典型关断延迟时间： 100 ns
典型接通延迟时间： 50 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 15.8mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs