型号: FQAF9N50
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 36nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1450pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 90W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 730 毫欧 @ 3.6A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3PF
封装/外壳： SC-94
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：苏晓豪
电话：13692086973
Q Q:
联系人：刘文科
电话：17315471130
Q Q:
联系人：蔡冬冬
电话：13790486395
Q Q:
