型号: FQB11P06
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 11.4 A
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 175 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 45 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns
系列: FQB11P06
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:颜小姐
电话:13380394549
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:朱经理,张小姐
电话:18926541169
联系人:李小姐
电话:15815503065
联系人:欧维明
电话:13810607781