型号: FQB19N10L
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 19 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.75 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 140 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 410 ns
系列: FQB19N10
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
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