型号:  FQB22P10TM_F085

功能描述:  P-Channel 100 V 0.125 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3

制造商:  Fairchild / ON Semiconductor

系列：  汽车级， AEC-Q101， QFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  22A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  50nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1500pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  3.75W（Ta），125W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  125 毫欧 @ 11A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  100V

连续漏极电流ID：  22A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs