型号: FQB4N20LTM
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 5.2nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 310pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.35 欧姆 @ 1.9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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