型号: FQB55N06
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 55 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.75 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 75 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 130 ns
系列: FQB55N06
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：朱先生，曾小姐
电话：15875581958
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13724201920
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
