型号: FQB5N30
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 5.4 A
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
� 2000 �装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 27 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 55 ns
系列: FQB5N30
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：赵先生
电话：13622328433
Q Q:
联系人：危进波
电话：18822809882
Q Q:
联系人：许小姐
电话：15013642608
Q Q:
