型号: FQB630TM
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 25nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 550pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），78W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 400 毫欧 @ 4.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D²PAK（TO-263AB）
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李艳
电话：15817287769
Q Q:
联系人：林静玲
Q Q:
联系人：柯娜娜
电话：13923886020
Q Q:
