型号:  FQB8N90CTM

功能描述:  MOSFET QFC 900V 1.9OHM D2PAK

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  900 V

Id-连续漏极电流:  6.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  35 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  171 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  QFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.83 mm

长度:  10.67 mm

系列:  FQB8N90CTM

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.65 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  5.5 S

下降时间:  70 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  110 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  70 ns

典型接通延迟时间:  40 ns

单位重量:  1.312 g