型号: FQB9N50C
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 9 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 135 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 64 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 65 ns
系列: FQB9N50
典型关闭延迟时间: 93 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：张先生
电话：17817952214
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
联系人：易
电话：13480795355
Q Q:
