型号: FQD10N20CTM_F080
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 26nC @ 10V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 510pF @ 25V
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 360 毫欧 @ 3.9A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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