型号:  FQD12N20LTM-F085P

功能描述:  MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DPAK-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  9 A

Rds On-漏源导通电阻:  220 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  21 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  55 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  11.6 S

下降时间:  120 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  190 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  60 ns

典型接通延迟时间:  15 ns

零件号别名:  FQD12N20LTM_F085P

单位重量:  200 mg