型号: FQD17N08L
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 12.9 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 75 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 290 ns
系列: FQD17N08
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱军
Q Q:
联系人：罗
电话：13006667022
Q Q:
联系人：林先生
电话：13590488158
Q Q:
