型号: FQD1N60C
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 27 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 21 ns
系列: FQD1N60
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
联系人:董先生
电话:19924492152
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:钟小姐,王先生
电话:13418830030
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:Alien
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:王小姐,陈先生
电话:15989811809
联系人:林
联系人:李木子
电话:15361817785