型号: FQD2N60CTM-WS
功能描述: MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 1.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
配置: Single
商标名: QFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
系列: FQD2N60C
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
零件号别名: FQD2N60CTM_WS
单位重量: 260.370 mg
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