型号: FQD3N60CTM_WS
功能描述: N-Channel 600 V 3.4 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： QFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.4A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 565pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 50W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： DPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 2.4A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：王辉燕
电话：18926529691
Q Q:
联系人：刘心
电话：17673093037
Q Q:
Sunrise Electronic (Hong Kong) Co., Ltd
联系人：彭
Q Q:
