型号:  FQD4P25TM_WS

功能描述:  P-Channel 250 V 2.1 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3

制造商:  Fairchild / ON Semiconductor

系列：  QFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  3.1A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  14nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  420pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta），45W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  2.1 欧姆 @ 1.55A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  250V

连续漏极电流ID：  3.1A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs