型号:  FQD6N40CTM_NBEA002

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

制造商:  fairchild semiconductor

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  400V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  1 Ohm @ 2.25A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  20nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  625pF @ 25V

功率 - 最大：  2.5W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  D-Pak

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  400 V

最大连续漏极电流：  4.5 A

RDS -于：  1000@10V mOhm

最大门源电压：  ±30 V

典型导通延迟时间：  13 ns

典型上升时间：  65 ns

典型关闭延迟时间：  21 ns

典型下降时间：  38 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

标准包装名称：  DPAK

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  1000@10V

最大漏源电压：  400

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  DPAK

最大功率耗散：  2500

最大连续漏极电流：  4.5

引脚数：  3

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Standard

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  4.5A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  400V

供应商设备封装：  D-Pak

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1 Ohm @ 2.25A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  2.5W

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

输入电容（Ciss ） @ VDS：  625pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  20nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  2500

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

最低工作温度：  - 55 C

配置：  Single

源极击穿电压：  +/- 30 V

连续漏极电流：  4.5 A

系列：  FQD6N40C

单位重量：  0.009184 oz

RDS（ON）：  1 Ohms

功率耗散：  2.5 W

安装风格：  SMD/SMT

上升时间：  65 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  400 V