型号: FQG4902TU
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: +/- 250 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: + 0.54 A, - 0.54 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2 Ohms
配置: Dual Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: DIP-8
封装: Tube
下降时间: 17 ns at N Channel, 19 ns at P Channel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.4 W
上升时间: 17 ns at N Channel, 19 ns at P Channel
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 29 ns at N Channel, 44 ns at P Channel
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