型号: FQI12N60C
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 225 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 90 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 85 ns
系列: FQI12N60
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
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Q Q:
联系人：陈泽辉
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