型号: FQI19N20
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 19.4 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 80 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 190 ns
系列: FQI19N20
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
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