型号: FQI4N20TU
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6.5nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 220pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.4 欧姆 @ 1.8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： I2PAK（TO-262）
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：姚炜
电话：18602210485
Q Q:
联系人：贺文华
电话：13066866558
Q Q:
联系人：朱经理，张小姐
电话：18926541169
Q Q:
