型号: FQI5N30TU
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 13nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 430pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3.13W（Ta），70W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 900 毫欧 @ 2.7A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： I2PAK（TO-262）
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：张超
电话：15989435940
Q Q:
联系人：谢小姐
电话：13480809246
Q Q:
联系人：林鸿树
电话：18925290425
Q Q:
