型号: FQI7P06
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild S 00004C30 emiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 7 A
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 410 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.75 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 50 ns
系列: FQI7P06
典型关闭延迟时间: 7.5 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余婷婷
电话：18181446423
Q Q:
联系人：李先生，朱小姐
电话：18923764396
Q Q:
