型号: FQNL2N50BBU_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 0.35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 5.3 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92L
封装: Bulk
下降时间: 25 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 0.72 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.5 W
上升时间: 25 ns
典型关闭延迟时间: 10 ns
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：佘文
电话：18682480906
Q Q:
联系人：刘
电话：13570480833
Q Q:
