型号: FQP19N20C_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.17 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 115 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 10.8 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 139 W
上升时间: 150 ns
典型关闭延迟时间: 135 ns
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：陈生
电话：13537702078
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：吴
电话：13528813977
Q Q:
联系人：许
电话：755-29123362
Q Q:
联系人：李瑞
电话：18666667513
Q Q:
