型号: FQP34N20L
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 72nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3900pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 180W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 75 毫欧 @ 15.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220-3
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李卫军
电话：18600323063
Q Q:
联系人：毛先生
电话：13538178662
Q Q:
联系人：火山
Q Q:
