型号: FQP3N80C_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 4.8 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 32 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 107 W
上升时间: 43.5 ns
典型关闭延迟时间: 22.5 ns
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：阮荣霞
电话：18782982611
Q Q:
联系人：廖伟颂
Q Q:
联系人：刘小姐，苏先生
电话：13798203645
Q Q:
