型号: FQP5N80_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 4.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.6 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 40 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 140 W
上升时间: 60 ns
典型关闭延迟时间: 55 ns
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：曹先生，吴小姐
电话：18617161819
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：张瑞萍
电话：13313850116
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13528411877
Q Q:
联系人：吴明
电话：86552953
Q Q:
