型号:  FQP6N80C

功能描述:  MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  158 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  QFET

封装:  Tube

高度:  16.3 mm

长度:  10.67 mm

系列:  FQP6N80C

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  4.7 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  5.4 S

下降时间:  44 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  65 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  47 ns

典型接通延迟时间:  26 ns

零件号别名:  FQP6N80C_NL

单位重量:  1.800 g