型号: FQP9N25C_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 250 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 8.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.43 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 65 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值): 7 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 74 W
上升时间: 85 ns
典型关闭延迟时间: 90 ns
联系人:张小姐
联系人:钟小姐,王先生
电话:13418830030
联系人:朱先生
电话:18194045272
联系人:张先生
电话:17602007745
联系人:陈先生,张女士
电话:13606207446
联系人:朱先生
联系人:蔡永记
电话:18617195508
联系人:聂绍明
电话:13823729687
联系人:洪先生
电话:13480938895
联系人:陈小姐
电话:13715024988