型号: FQT3P20TF_SB82100
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： QFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 670mA（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.7 欧姆 @ 335mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 250pF @ 25V
功率 - 最大值： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SOT-223-4
其它名称： FQT3P20TF_SB82100CT
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