型号: FQU2N90
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 1.7 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 35 ns
系列: FQU2N90
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：欧维明
电话：13810607781
Q Q:
联系人：陈孝兵
电话：18319381531
Q Q:
联系人：林坚俊，陈灿杰
电话：18476146660
Q Q:
