型号: FQU5N50CTU_WS
功能描述:
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： QFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 500V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 625pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），48W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.4 欧姆 @ 2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：徐旺华
电话：13682575432
Q Q:
联系人：唐先生
电话：13113670037
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联系人：曹娟娟
电话：18770063110
Q Q:
