型号:  FS150R12KT4BOSA1

功能描述:  Infineon FS150R12KT4BOSA1 N通道 IGBT 晶体管模块, 3 相桥接, 150 A, Vce=1200 V, 35引脚 EconoPACK 3封装

制造商:  Infineon Technologies

IGBT 类型：  沟槽型场截止

配置：  三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  150A

功率 - 最大值：  750W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.1V @ 15V，150A

电流 - 集电极截止（最大值）：  1mA

输入：  标准

NTC 热敏电阻：  是

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  底座安装

封装/外壳：  AG-ECONO3-4

供应商器件封装：  模块

配置：  3 相桥接

晶体管配置：  3 相

最大连续集电极电流：  150 A

最大集电极-发射极电压：  1200 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

通道类型：  N

安装类型：  表面贴装

封装类型：  EconoPACK 3

引脚数目：  35

最大功率耗散：  750 W

尺寸：  122 x 62 x 17mm

高度：  17mm

长度：  122mm

最高工作温度：  +150 °C

宽度：  62mm

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs