型号:  FS200R07A1E3BOSA1

功能描述:  Infineon FS200R07A1E3BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 250 A, Vce=650 V, 25引脚 HYBRID1封装

制造商:  Infineon Technologies

配置：  三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）：  650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  250A

功率 - 最大值：  790W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  1.9V @ 15V，200A

电流 - 集电极截止（最大值）：  1mA

不同 Vce 时的输入电容（Cies）：  13nF

电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce：  25V

输入：  标准

NTC 热敏电阻：  是

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  底座安装

封装/外壳：  AG-HYBRID1-1

供应商器件封装：  模块

晶体管配置：  3 相

配置：  3 相桥接

最大连续集电极电流：  250 A

最大集电极-发射极电压：  650 V

最大栅极发射极电压：  ±20V

通道类型：  N

安装类型：  PCB（印刷电路板）安装

封装类型：  HYBRID1

引脚数目：  25

开关速度：  1MHz

最大功率耗散：  790 W

尺寸：  140 x 72 x 17mm

高度：  17mm

长度：  140mm

最高工作温度：  +150 °C

宽度：  72mm

最低工作温度：  -40 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs