型号: FS6R06VE3_B2
功能描述: IGBT 模块 N-CH 600V 11A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 11 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 40.5 W
封装 / 箱体: EASY750
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 35.6 mm
宽度: 25.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 40
子类别: IGBTs
零件号别名: FS6R06VE3B2BOMA1 SP000100310
单位重量: 11.100 g
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