型号: FS75R07N2E4
功能描述: IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 250 W
封装 / 箱体: Module
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FS75R07N2E4BOSA1 SP000843932
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