型号: FS75R12W2T4B11BOMA1
功能描述: Infineon FS75R12W2T4B11BOMA1 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 107 A, Vce=1200 V, 33引脚 EASY2B封装
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 107A
功率 - 最大值: 375W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.15V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值): 1mA
不同 Vce 时的输入电容(Cies): 4.3nF
电压,耦合至输入电容(Cies)@ Vce: 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: AG-EASY2B-2
供应商器件封装: 模块
配置: 共集电极
晶体管配置: 3 相
最大连续集电极电流: 107 A
最大集电极-发射极电压: 1200 V
最大栅极发射极电压: ±20V
通道类型: N
安装类型: PCB(印刷电路板)安装
封装类型: EASY2B
引脚数目: 33
开关速度: 1MHz
最大功率耗散: 375 W
尺寸: 56.7 x 48 x 12mm
高度: 12mm
长度: 56.7mm
最高工作温度: +150 °C
宽度: 48mm
最低工作温度: -40 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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