型号: FS800R07A2E3
功能描述: IGBT 模块
制造商: Infineon Technologies
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Single
集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V
集电极—射极饱和电压： 1.4 V
在25 C的连续集电极电流： 800 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 1500 W
最大工作温度： + 150 C
封装 / 箱体： HybridPack2
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： Through Hole
系列： FS800R07A2
工厂包装数量： 3
零件号别名： SP000913148
ROHS： 含铅
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