型号: FSB660_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70 at 100 mA at 2 V
配置: Single
最大工作频率: 75 MHz
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
封装: Reel
集电极连续电流: 2 A
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
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